Технічний опис BLT50,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V, Frequency - Transition: 470MHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BLT50,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BLT50,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 470MHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
|
|
BLT50,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 470MHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
 |
BLT50,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFPR |
товару немає в наявності |
|
| BLT50,115 | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |