Продукція > ROHM > BM3G005MUV-LBE2
BM3G005MUV-LBE2

BM3G005MUV-LBE2 ROHM

4461437.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+768.35 грн
25+748.21 грн
50+676.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BM3G005MUV-LBE2 ROHM

Description: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J, tariffCode: 85423990, IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Betriebstemperatur, min.: -40°C, IC-Bauform: VQFN046V8080, Versorgungsspannung, min.: 6.83V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 30V, Betriebstemperatur, max.: 105°C.

Інші пропозиції BM3G005MUV-LBE2 за ціною від 639.26 грн до 1170.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BM3G005MUV-LBE2 BM3G005MUV-LBE2 ROHM 4461437.pdf Description: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.38 грн
10+768.35 грн
25+748.21 грн
50+676.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-LBE2 BM3G005MUV-LBE2 ROHM Semiconductor GaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5mohm, Low Side Nch
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1170.24 грн
10+892.33 грн
100+706.22 грн
1000+639.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-LBE2 4461437.pdf
BM3G005MUV-LBE2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1041.38 грн
10+768.35 грн
25+748.21 грн
50+676.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-LBE2
BM3G005MUV-LBE2
Виробник: ROHM Semiconductor
GaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5mohm, Low Side Nch
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1170.24 грн
10+892.33 грн
100+706.22 грн
1000+639.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.