Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2

BM3G007MUV-LBE2 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BM3G007MUV-LB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+999.63 грн
10+761.06 грн
25+710.78 грн
100+615.19 грн
250+590.48 грн
500+575.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BM3G007MUV-LBE2 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 12ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C.

Інші пропозиції BM3G007MUV-LBE2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BM3G007MUV-LBE2 BM3G007MUV-LBE2 ROHM Semiconductor datasheet?p=BM3G007MUV-LB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2 BM3G007MUV-LBE2 ROHM 3980113.pdf Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2 BM3G007MUV-LBE2 ROHM 3980113.pdf Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2 datasheet?p=BM3G007MUV-LB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM3G007MUV-LBE2
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2 3980113.pdf
BM3G007MUV-LBE2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2 3980113.pdf
BM3G007MUV-LBE2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.