BM3G007MUV-LBE2 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 964.18 грн |
| 25+ | 900.69 грн |
| 50+ | 769.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BM3G007MUV-LBE2 ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 12ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BM3G007MUV-LBE2 за ціною від 769.54 грн до 1912.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BM3G007MUV-LBE2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 6.25V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 46Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Eingabeverzögerung: 12ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BM3G007MUV-LBE2 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|