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Технічний опис BM3G015MUV-LBE2 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 11ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C.
Інші пропозиції BM3G015MUV-LBE2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BM3G015MUV-LBE2 | ROHM |
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EPtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 6.25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 46Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 30V Eingabeverzögerung: 11ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BM3G015MUV-LBE2 | ROHM |
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EPtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 6.25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 46Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 30V Eingabeverzögerung: 11ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 87 шт В кошику од. на суму грн. |
| BM3G015MUV-LBE2 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BM3G015MUV-LBE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
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IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
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Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
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IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



