Продукція > ROHM > BM3G015MUV-LBE2

BM3G015MUV-LBE2 ROHM


3980114.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+339.77 грн
25+314.57 грн
50+286.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BM3G015MUV-LBE2 ROHM

Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 11ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C.

Інші пропозиції BM3G015MUV-LBE2 за ціною від 286.06 грн до 977.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BM3G015MUV-LBE2 BM3G015MUV-LBE2 ROHM 3980114.pdf Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.75 грн
10+339.77 грн
25+314.57 грн
50+286.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2 BM3G015MUV-LBE2 ROHM Semiconductor MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.85 грн
10+849.31 грн
25+718.32 грн
50+679.31 грн
100+638.90 грн
250+627.75 грн
1000+532.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2 3980114.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+439.75 грн
10+339.77 грн
25+314.57 грн
50+286.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+977.85 грн
10+849.31 грн
25+718.32 грн
50+679.31 грн
100+638.90 грн
250+627.75 грн
1000+532.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.