Продукція > ROHM > BM3G015MUV-LBE2
BM3G015MUV-LBE2

BM3G015MUV-LBE2 ROHM


3980114.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+454.16 грн
25+420.68 грн
50+359.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BM3G015MUV-LBE2 ROHM

Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 11ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції BM3G015MUV-LBE2 за ціною від 359.54 грн до 1074.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BM3G015MUV-LBE2 BM3G015MUV-LBE2 Виробник : ROHM 3980114.pdf Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+588.09 грн
10+454.16 грн
25+420.68 грн
50+359.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2 BM3G015MUV-LBE2 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.12 грн
10+932.92 грн
25+789.04 грн
50+746.18 грн
100+701.80 грн
250+689.55 грн
1000+585.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.