BMS3004-1E ON Semiconductor
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BMS3004-1E ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 75V 68A TO220F-3SG, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc), Supplier Device Package: TO-220F-3SG, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 20 V. 
Інші пропозиції BMS3004-1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| 
             | 
        BMS3004-1E | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH Si 75V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |
                      | 
        BMS3004-1E | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET P-CH 75V 68A TO220F-3SGPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc) Supplier Device Package: TO-220F-3SG Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 20 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

