на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 95.73 грн |
| 500+ | 82.16 грн |
| 1000+ | 76.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BP 103-3/4 ams-OSRAM
Description: PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Wavelength: 850nm, Mounting Type: Through Hole, Orientation: Top View, Operating Temperature: -40°C ~ 80°C, Viewing Angle: 110°, Current - Dark (Id) (Max): 50 nA, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції BP 103-3/4 за ціною від 65.70 грн до 211.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BP 103-3/4 | Виробник : ams-OSRAM |
 Phototransistor Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-18 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BP 103-3/4 | Виробник : ams-OSRAM USA INC. |
Description: PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Viewing Angle: 110° Current - Dark (Id) (Max): 50 nA Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BP 103-3/4 | Виробник : ams OSRAM |
Phototransistors PHOTODIODE |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BP 103-3/4 | Виробник : OSRAM Opto Semiconductors |
Phototransistor Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |