на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BPW34 Vishay
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW 34 - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 2nA Dunkelstrom, 850nm, DIP, 2 Pins, tariffCode: 85414900, Bauform - Diode: DIP, Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°, Dunkelstrom: 2000pA, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 100°C.
Інші пропозиції BPW34 за ціною від 16.94 грн до 84.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BPW34 | Виробник : Vishay | Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : OSRAM Opto Semiconductors | Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity Automotive 2-Pin DIL |
на замовлення 42480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : VISHAY |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; THT; 900nm; 430÷1000nm; 65°; 215mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 900nm Wavelength: 430...1000nm Viewing angle: 65° Active area: 7.5mm2 Optical power: 215mW Dimensions: 5.4x4.3x3.2mm |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay | Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay | Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : VISHAY |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; THT; 900nm; 430÷1000nm; 65°; 215mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 900nm Wavelength: 430...1000nm Viewing angle: 65° Active area: 7.5mm2 Optical power: 215mW Dimensions: 5.4x4.3x3.2mm кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; DIL; THT; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Case: DIL Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 850nm Wavelength: 400...1100nm Viewing angle: 60° Max. off-state voltage: 32V Turn-on time: 20ns Turn-off time: 20ns Active area: 7.02mm2 Dark current: 2nA Optical power: 150mW |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay | Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : ams-OSRAM | Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 42480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; DIL; THT; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Case: DIL Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 850nm Wavelength: 400...1100nm Viewing angle: 60° Max. off-state voltage: 32V Turn-on time: 20ns Turn-off time: 20ns Active area: 7.02mm2 Dark current: 2nA Optical power: 150mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BPW34 - Photodiode, 65°, 2nA, 900nm, DIP-2 tariffCode: 85414900 Winkel halber Empfindlichkeit ±: 65° Dunkelstrom: 2000pA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 900nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 75835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : AMS OSRAM GROUP |
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW 34 - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 2nA Dunkelstrom, 850nm, DIP, 2 Pins tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: DIP Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60° Dunkelstrom: 2000pA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 5024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : ams-OSRAM USA INC. |
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM 2DIP Packaging: Tube Package / Case: 2-DIP (0.213", 5.40mm) Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Diode Type: Pin Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Response Time: 20ns Viewing Angle: 120° Spectral Range: 400nm ~ 1100nm Active Area: 7mm² Current - Dark (Typ): 2nA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 32 V |
на замовлення 5511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : ams-OSRAM | Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 42480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : ams OSRAM | Photodiodes PHOTODIODE T/H |
на замовлення 37052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay | Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay Semiconductors | Photodiodes Top view 430-1100nm +/-65 deg |
на замовлення 19221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay |
Photodiode BPW34; TO 5; voltage 60V; Id=30nA; IL=75uA 250mW; working temperature -55°C +100°C; wavelenght 900nm; flat; BPW34 OIO Bpw34 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BPW 34 Код товару: 199899 |
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : ams-OSRAM | Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BPW34 | Виробник : Vishay | Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BPW 34 | Виробник : AMS OSRAM | Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity Automotive 2-Pin DIL |
товар відсутній |