BPW 34
Код товару: 199899
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BPW 34 за ціною від 24.89 грн до 123.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BPW34 | Vishay |
Photodiode BPW34; TO 5; voltage 60V; Id=30nA; IL=75uA 250mW; working temperature -55°C +100°C; wavelenght 900nm; flat; BPW34 OIO Bpw34кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | ams OSRAM |
Category: PhotodiodesDescription: PIN IR photodiode; DIL; THT; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW Mounting: THT Type of photoelement: PIN IR photodiode Viewing angle: 60° Wavelength of peak sensitivity: 850nm Wavelength: 400...1100nm Active area: 7.02mm2 Dark current: 2nA Max. off-state voltage: 32V Turn-on time: 20ns Case: DIL Turn-off time: 20ns Radiant power: 150mW |
на замовлення 9964 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW34 | VISHAY |
Category: PhotodiodesDescription: PIN IR photodiode; THT; 900nm; 430÷1000nm; 65°; 215mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 900nm Wavelength: 430...1000nm Active area: 7.5mm2 Dimensions: 5.4x4.3x3.2mm Radiant power: 215mW Viewing angle: 65° |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW34 | Vishay |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 5677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW34 | Vishay |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW34 | Vishay |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW34 | Vishay |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BPW34 | ams OSRAM AG |
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM 2DIPPackaging: Tube Package / Case: 2-DIP (0.213", 5.40mm) Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Diode Type: Pin Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Response Time: 20ns Viewing Angle: 120° Spectral Range: 400nm ~ 1100nm Active Area: 7mm² Current - Dark (Typ): 2nA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 32 V |
на замовлення 25771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW34 | Vishay |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk |
на замовлення 5677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BPW 34 | AMS OSRAM GROUP |
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW 34 - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 2nA Dunkelstrom, 850nm, DIP, 2 PinstariffCode: 85414900 Bauform - Diode: DIP Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60° euEccn: NLR Dunkelstrom: 2000pA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BPW34 | VISHAY |
Description: VISHAY - BPW34 - PIN-Fotodiode, Silizium, ±65°, 2nA, 900nm, DIP-2tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: DIP Winkel halber Empfindlichkeit ±: 65° euEccn: NLR Dunkelstrom: 2nA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 900nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 38813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BPW34 | Vishay Semiconductors |
Photodiodes Top view 430-1100nm +/-65 deg |
на замовлення 10126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay
Photodiode BPW34; TO 5; voltage 60V; Id=30nA; IL=75uA 250mW; working temperature -55°C +100°C; wavelenght 900nm; flat; BPW34 OIO Bpw34
кількість в упаковці: 50 шт
Photodiode BPW34; TO 5; voltage 60V; Id=30nA; IL=75uA 250mW; working temperature -55°C +100°C; wavelenght 900nm; flat; BPW34 OIO Bpw34
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 25.44 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: ams-OSRAM
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 364+ | 38.77 грн |
| 390+ | 36.28 грн |
| 500+ | 32.60 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: ams-OSRAM
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 865+ | 40.83 грн |
| 1000+ | 37.66 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: ams-OSRAM
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.48 грн |
| 20+ | 38.86 грн |
| 100+ | 36.35 грн |
| 500+ | 31.50 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: ams-OSRAM
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 270+ | 52.29 грн |
| 307+ | 46.10 грн |
| 500+ | 38.22 грн |
| 1000+ | 33.56 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: ams OSRAM
Category: Photodiodes
Description: PIN IR photodiode; DIL; THT; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW
Mounting: THT
Type of photoelement: PIN IR photodiode
Viewing angle: 60°
Wavelength of peak sensitivity: 850nm
Wavelength: 400...1100nm
Active area: 7.02mm2
Dark current: 2nA
Max. off-state voltage: 32V
Turn-on time: 20ns
Case: DIL
Turn-off time: 20ns
Radiant power: 150mW
Category: Photodiodes
Description: PIN IR photodiode; DIL; THT; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW
Mounting: THT
Type of photoelement: PIN IR photodiode
Viewing angle: 60°
Wavelength of peak sensitivity: 850nm
Wavelength: 400...1100nm
Active area: 7.02mm2
Dark current: 2nA
Max. off-state voltage: 32V
Turn-on time: 20ns
Case: DIL
Turn-off time: 20ns
Radiant power: 150mW
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.81 грн |
| 9+ | 48.42 грн |
| 10+ | 43.26 грн |
| 25+ | 37.08 грн |
| 50+ | 33.18 грн |
| 100+ | 29.97 грн |
| 250+ | 26.58 грн |
| 500+ | 24.89 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Photodiodes
Description: PIN IR photodiode; THT; 900nm; 430÷1000nm; 65°; 215mW
Type of photoelement: PIN IR photodiode
Mounting: THT
Wavelength of peak sensitivity: 900nm
Wavelength: 430...1000nm
Active area: 7.5mm2
Dimensions: 5.4x4.3x3.2mm
Radiant power: 215mW
Viewing angle: 65°
Category: Photodiodes
Description: PIN IR photodiode; THT; 900nm; 430÷1000nm; 65°; 215mW
Type of photoelement: PIN IR photodiode
Mounting: THT
Wavelength of peak sensitivity: 900nm
Wavelength: 430...1000nm
Active area: 7.5mm2
Dimensions: 5.4x4.3x3.2mm
Radiant power: 215mW
Viewing angle: 65°
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 71.11 грн |
| 10+ | 48.59 грн |
| 100+ | 41.39 грн |
| 250+ | 38.94 грн |
| 500+ | 36.74 грн |
| 1000+ | 36.06 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
на замовлення 5677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 182+ | 77.96 грн |
| 247+ | 57.25 грн |
| 500+ | 52.66 грн |
| 1000+ | 48.64 грн |
| 3000+ | 39.17 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 161+ | 87.85 грн |
| 189+ | 74.94 грн |
| 250+ | 70.47 грн |
| 500+ | 64.14 грн |
| 1000+ | 58.21 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: ams-OSRAM
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 100.01 грн |
| 15+ | 52.29 грн |
| 100+ | 46.10 грн |
| 500+ | 36.86 грн |
| 1000+ | 31.07 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.32 грн |
| 11+ | 72.58 грн |
| 100+ | 55.04 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 107.32 грн |
| 195+ | 72.58 грн |
| 257+ | 55.04 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: ams OSRAM AG
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM 2DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 2-DIP (0.213", 5.40mm)
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 20ns
Viewing Angle: 120°
Spectral Range: 400nm ~ 1100nm
Active Area: 7mm²
Current - Dark (Typ): 2nA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 32 V
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM 2DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 2-DIP (0.213", 5.40mm)
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 20ns
Viewing Angle: 120°
Spectral Range: 400nm ~ 1100nm
Active Area: 7mm²
Current - Dark (Typ): 2nA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 32 V
на замовлення 25771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.42 грн |
| 50+ | 69.04 грн |
| 100+ | 63.98 грн |
| 500+ | 51.57 грн |
| 1000+ | 48.80 грн |
| 2000+ | 46.46 грн |
| 5000+ | 43.18 грн |
| 10000+ | 41.61 грн |
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin Bulk
на замовлення 5677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 123.49 грн |
| 10+ | 78.12 грн |
| 100+ | 57.37 грн |
| 500+ | 50.88 грн |
| 1000+ | 45.13 грн |
| 3000+ | 37.68 грн |
| BPW 34 |
![]() |
Виробник: AMS OSRAM GROUP
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW 34 - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 2nA Dunkelstrom, 850nm, DIP, 2 Pins
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: DIP
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 2000pA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW 34 - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 2nA Dunkelstrom, 850nm, DIP, 2 Pins
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: DIP
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 2000pA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BPW34 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BPW34 - PIN-Fotodiode, Silizium, ±65°, 2nA, 900nm, DIP-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: DIP
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 65°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 2nA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 900nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: VISHAY - BPW34 - PIN-Fotodiode, Silizium, ±65°, 2nA, 900nm, DIP-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: DIP
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 65°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 2nA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 900nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
на замовлення 38813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BPW34 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Photodiodes Top view 430-1100nm +/-65 deg
Photodiodes Top view 430-1100nm +/-65 deg
на замовлення 10126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| LM358D (SOP-8, IDCHIP) Код товару: 174411
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IDCHIP
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOP-8
Напруга живлення Vc, В: 3...32 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 2 мВ
Температурний діапазон: 0...+70°С
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOP-8
Напруга живлення Vc, В: 3...32 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 2 мВ
Температурний діапазон: 0...+70°С
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 2621 шт
- 2444 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 62 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 11 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 100+ | 4.30 грн |
| Світлодіод інфрачервоний 8mm, 850нм SN-IR-850nm-5W-04 Код товару: 147993
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 5Вт 850нм, 1400mA. Кристал 8мм
Розмір: 8 mm
Лінза: безбарвна
Падіння напруги, В: 1,4...2 В
Кут, °: 140°
Довжина хвилі, нм: 850 нм
Опис: ІЧ-світлодіод 5Вт 850нм, 1400mA. Кристал 8мм
Розмір: 8 mm
Лінза: безбарвна
Падіння напруги, В: 1,4...2 В
Кут, °: 140°
Довжина хвилі, нм: 850 нм
у наявності: 28 шт
- 13 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 115.00 грн |
| 10+ | 109.00 грн |











