на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 148.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BPW77NA Vishay
Description: VISHAY - BPW77NA - Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pin(s), TO-18, tariffCode: 85414900, MSL: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Stromverbrauch: 250mW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Abstrahlwinkel: 10°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, hazardous: false, Bauform - Transistor: TO-18, Wellenlänge, typ.: 850nm, usEccn: EAR99, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції BPW77NA за ціною від 88.50 грн до 304.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BPW77NA | Виробник : Vishay |
 Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPW77NA | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BPW77NA - Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pin(s), TO-18 tariffCode: 85414900 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Stromverbrauch: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Abstrahlwinkel: 10° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - hazardous: false Bauform - Transistor: TO-18 Wellenlänge, typ.: 850nm usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPW77NA | Виробник : Vishay Semiconductor Opto Division |
Description: PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Viewing Angle: 20° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPW77NA | Виробник : Vishay Semiconductors |
Phototransistors TO-18 450-1080nm +/-10 deg |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BPW77NA | Виробник : Vishay |
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BPW77NA | Виробник : Vishay |
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPW77NA Код товару: 67384
Додати до обраних
Обраний товар
|
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори Тип: Фототранзистор |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
 |
BPW77NA | Виробник : Vishay |
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BPW77NA | Виробник : VISHAY |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; THT; 850nm; 70V; 20°; Lens: transparent Type of photoelement: phototransistor Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 850nm Viewing angle: 20° Collector-emitter voltage: 70V LED lens: transparent кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BPW77NA | Виробник : VISHAY |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; THT; 850nm; 70V; 20°; Lens: transparent Type of photoelement: phototransistor Mounting: THT Wavelength of peak sensitivity: 850nm Viewing angle: 20° Collector-emitter voltage: 70V LED lens: transparent |
товару немає в наявності |