BPX 65 OSRAM Opto Semiconductors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BPX 65 OSRAM Opto Semiconductors
Description: AMS OSRAM GROUP - BPX 65 - Fotodiode, 40° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 1nA Dunkelstrom, 850nm, TO-18-2, tariffCode: 85414900, Bauform - Diode: TO-18, Winkel halber Empfindlichkeit ±: 40°, Dunkelstrom: 1000pA, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BPX 65 за ціною від 208.93 грн до 567.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BPX65 | Виробник : ams-OSRAM |
 Photodiode PIN Chip 850nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-18 |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BPX65 | Виробник : ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-18 |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; TO18; THT; 850nm; 350÷1100nm; 40°; 1nA; 250mW Case: TO18 Wavelength: 350...1100nm Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Turn-on time: 12ns Turn-off time: 12ns LED lens: transparent Viewing angle: 40° Type of photoelement: PIN IR photodiode Dark current: 1nA Wavelength of peak sensitivity: 850nm Active area: 1mm2 Radiant power: 250mW |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Виробник : ams-OSRAM USA INC. |
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM TO18-2 Packaging: Tray Package / Case: TO-18-2 Metal Can Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Diode Type: Pin Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Response Time: 12ns Viewing Angle: 80° Spectral Range: 350nm ~ 1100nm Active Area: 1mm² Current - Dark (Typ): 1nA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Виробник : AMS OSRAM GROUP |
Description: AMS OSRAM GROUP - BPX 65 - Fotodiode, 40° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 1nA Dunkelstrom, 850nm, TO-18-2 tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: TO-18 Winkel halber Empfindlichkeit ±: 40° Dunkelstrom: 1000pA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Виробник : ams OSRAM |
Photodiodes Silicon PIN Photodiode |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BPX 65 | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; TO18; THT; 850nm; 350÷1100nm; 40°; 1nA; 250mW Case: TO18 Wavelength: 350...1100nm Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Turn-on time: 12ns Turn-off time: 12ns LED lens: transparent Viewing angle: 40° Type of photoelement: PIN IR photodiode Dark current: 1nA Wavelength of peak sensitivity: 850nm Active area: 1mm2 Radiant power: 250mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BPX-65 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BPX65 | Виробник : ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |