BQ4010MA-200 Benchmarq
Виробник: BenchmarqDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 1335.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BQ4010MA-200 Benchmarq
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 64Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 200 ns, Memory Organization: 8K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції BQ4010MA-200 за ціною від 1335.33 грн до 1335.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BQ4010MA-200 | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BQ4010MA-200 | Виробник : TI |
08+; |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| BQ4010MA-200 | Виробник : TI |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| BQ4010MA-200 | Виробник : Texas Instruments |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
BQ4010MA-200 | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |