Продукція > TI > BQ4011LYMA-70N

BQ4011LYMA-70N TI

BQ4011%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf Виробник: TI
08+;
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BQ4011LYMA-70N TI

Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції BQ4011LYMA-70N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BQ4011LYMA-70N BQ4011LYMA-70N Виробник : Texas Instruments BQ4011%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.