Продукція > TI > BQ4011MA-100

BQ4011MA-100 TI

Виробник: TI
08+;

на замовлення 205200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BQ4011MA-100 TI

Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Packaging: Tube, Memory Organization: 32K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V.

Інші пропозиції BQ4011MA-100

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BQ4011MA-100	Виробник : Texas Instruments	Статическая память (SRAM), енергонезавис. (32k x 8 bit, 100ns, Vs=4.5-5.5V, , 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	BQ4011MA-100	Виробник : Texas Instruments	Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.