Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > BQ4011MA-200
BQ4011MA-200

BQ4011MA-200 Texas Instruments

BQ4011%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf Виробник: Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+358.95 грн
Мінімальне замовлення: 56
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BQ4011MA-200 Texas Instruments

Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 200 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції BQ4011MA-200

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BQ4011MA-200 Виробник : TI BQ4011%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf 08+;
на замовлення 25400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BQ4011MA-200 Виробник : TI BQ4011%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BQ4011MA-200 BQ4011MA-200 Виробник : Texas Instruments BQ4011%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній