BR93G76FVJ-3BGTE2 ROHM Semiconductor
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BR93G76FVJ-3BGTE2 ROHM Semiconductor
Description: IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V, Technology: EEPROM, Clock Frequency: 3 MHz, Memory Format: EEPROM, Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ, Write Cycle Time - Word, Page: 5ms, Memory Interface: Microwire, Memory Organization: 512 x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції BR93G76FVJ-3BGTE2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BR93G76FVJ-3BGTE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 3 MHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: Microwire Memory Organization: 512 x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |