Технічний опис BS107G ON
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BS107G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BS107G | Виробник : On Semiconductor |
 N-кан. MOSFET 200V, 0.25A, 0.35Вт, 14Ом, TO-92, Pbf Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| BS107G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BS107G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
|
 |
BS107G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V 250mA N-Channel |
товару немає в наявності |