Продукція > ON > BS107G

BS107G ON

BS107-D.PDF
Виробник: ON

на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS107G ON

Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BS107G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS107G On Semiconductor BS107-D.PDF description N-кан. MOSFET 200V, 0.25A, 0.35Вт, 14Ом, TO-92, Pbf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G ON Semiconductor BS107-D.PDF description N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G BS107G onsemi BS107-D.PDF description Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G BS107G onsemi BS107_D-1802832.pdf description MOSFETs 200V 250mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G description BS107-D.PDF
Виробник: On Semiconductor
N-кан. MOSFET 200V, 0.25A, 0.35Вт, 14Ом, TO-92, Pbf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G description BS107-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G description BS107-D.PDF
BS107G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107G description BS107_D-1802832.pdf
BS107G
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V 250mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.