Продукція > DIODES/ZETEX > BS107P
BS107P

BS107P DIODES/ZETEX

TBS107_0108.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS107P DIODES/ZETEX

Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm.

Інші пропозиції BS107P за ціною від 25.48 грн до 104.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS107P BS107P DIODES/ZETEX TBS107_0108.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 6687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
299+47.31 грн
308+45.96 грн
496+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 6687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.58 грн
16+47.79 грн
25+47.31 грн
50+44.32 грн
100+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.27 грн
10+45.13 грн
25+39.45 грн
100+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+63.53 грн
25+53.42 грн
50+44.26 грн
100+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Incorporated BS107P.pdf MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P TBS107_0108.pdf
BS107P
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P bs107p.pdf
BS107P
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 6687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
299+47.31 грн
308+45.96 грн
496+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P bs107p.pdf
BS107P
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 6687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+63.58 грн
16+47.79 грн
25+47.31 грн
50+44.32 грн
100+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P.pdf
BS107P
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.27 грн
10+45.13 грн
25+39.45 грн
100+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P.pdf
BS107P
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.67 грн
10+63.53 грн
25+53.42 грн
50+44.26 грн
100+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P.pdf
BS107P
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS107P
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P bs107p.pdf
BS107P
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.