на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 22.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS107P Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BS107P за ціною від 13.18 грн до 83.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BS107P | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS107P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS107P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS107P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS107P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS107P | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
на замовлення 6370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS107P | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
на замовлення 45168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS107P | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS107P | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS107P | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS107P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BS107P | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BS107P | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|