BS107P

BS107P Diodes Inc


bs107p.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 1675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS107P Diodes Inc

Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції BS107P за ціною від 13.77 грн до 76.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BS107P BS107P Виробник : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
282+27.34 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 6768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+32.93 грн
500+25.22 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.11 грн
20+41.59 грн
100+28.64 грн
500+25.44 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Case: TO92
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.55 грн
10+39.39 грн
25+31.57 грн
31+29.82 грн
83+28.19 грн
500+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : Diodes Incorporated BS107P.pdf MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 7263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.72 грн
10+45.43 грн
100+28.54 грн
500+22.00 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+44.14 грн
100+28.81 грн
500+20.86 грн
1000+18.87 грн
4000+18.25 грн
8000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Case: TO92
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.26 грн
6+49.09 грн
25+37.89 грн
31+35.78 грн
83+33.83 грн
500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P Виробник : DIODES/ZETEX BS107P.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P Виробник : DIODES/ZETEX BS107P.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Виробник : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.