Технічний опис BS107P Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm.
Інші пропозиції BS107P за ціною від 25.35 грн до 88.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BS107P | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 2707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BS107P | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BS107P | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BS107P | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BS107P | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BS107P | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
BS107P | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BS107P | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BS107P | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BS107P | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BS107P |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 557+ | 25.35 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 29.04 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 29.04 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 38.54 грн |
| 500+ | 32.30 грн |
| 1000+ | 31.98 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 41.00 грн |
| 1000+ | 37.22 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.69 грн |
| 11+ | 39.21 грн |
| 25+ | 33.09 грн |
| 100+ | 29.45 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.14 грн |
| 10+ | 53.24 грн |
| 100+ | 35.10 грн |
| BS107P |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BS107P |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 200V
MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BS107P |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







