BS107P DIODES/ZETEX


TBS107_0108.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS107P DIODES/ZETEX

Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm.

Інші пропозиції BS107P за ціною від 30.15 грн до 107.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS107P BS107P DIODES/ZETEX TBS107_0108.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.78 грн
10+60.82 грн
25+51.20 грн
50+42.41 грн
100+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Incorporated BS107P.pdf MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+107.96 грн
10+49.66 грн
100+38.30 грн
500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P TBS107_0108.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.78 грн
10+60.82 грн
25+51.20 грн
50+42.41 грн
100+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P BS107P.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.96 грн
10+49.66 грн
100+38.30 грн
500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS107P bs107p.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.