Продукція > DIODES ZETEX > BS107PSTZ
BS107PSTZ

BS107PSTZ Diodes Zetex

bs107p.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS107PSTZ Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції BS107PSTZ за ціною від 21.87 грн до 75.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E182A77F50745&compId=BS107P.pdf?ci_sign=580db7e1c606f4e132a2fa7f0754f36a4dc51329 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.57 грн
10+44.72 грн
36+25.30 грн
98+24.00 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+49.54 грн
100+34.30 грн
500+27.00 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.98 грн
16+54.09 грн
100+37.46 грн
500+27.90 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : Diodes Incorporated bs107p-1163950.pdf MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.06 грн
10+56.29 грн
100+33.98 грн
500+28.48 грн
1000+25.83 грн
2000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E182A77F50745&compId=BS107P.pdf?ci_sign=580db7e1c606f4e132a2fa7f0754f36a4dc51329 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.08 грн
10+55.73 грн
36+30.37 грн
98+28.81 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : Diodes Inc bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS107PSTZ BS107PSTZ Виробник : Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.