BS107PSTZ DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 62.42 грн |
| 10+ | 44.61 грн |
| 36+ | 25.01 грн |
| 98+ | 23.72 грн |
| 1000+ | 22.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS107PSTZ DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BS107PSTZ за ціною від 21.82 грн до 74.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BS107PSTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BS107PSTZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BS107PSTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BS107PSTZ | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BS107PSTZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BS107PSTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BS107PSTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |