Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BS170-D27Z
BS170-D27Z

BS170-D27Z ON Semiconductor

mmbf170-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS170-D27Z ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BS170-D27Z за ціною від 4.24 грн до 38.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+6.40 грн
4000+6.37 грн
6000+6.32 грн
8000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+6.43 грн
4000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+6.79 грн
4000+5.42 грн
6000+5.32 грн
10000+4.66 грн
14000+4.64 грн
20000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+6.88 грн
4000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.72 грн
32+12.40 грн
50+9.77 грн
100+8.76 грн
138+6.59 грн
380+6.20 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 37331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.20 грн
17+18.68 грн
100+11.81 грн
500+8.28 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.89 грн
50+19.62 грн
100+10.69 грн
500+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : onsemi / Fairchild MMBF170-D.PDF MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.29 грн
18+20.02 грн
100+9.67 грн
500+9.23 грн
1000+8.04 грн
2000+5.58 грн
4000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.07 грн
19+15.46 грн
50+11.72 грн
100+10.51 грн
138+7.91 грн
380+7.44 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BS170"D27Z BS170"D27Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.