BS170-D75Z ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 7.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170-D75Z ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BS170-D75Z за ціною від 5.73 грн до 36.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BS170-D75Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BS170-D75Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BS170-D75Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 24837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BS170-D75Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BS170-D75Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 918 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BS170-D75Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BS170-D75Z | Виробник : FAIRCHILD |
BS170-D75Z |
на замовлення 6212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BS170-D75Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BS170-D75Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BS170-D75Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BS170-D75Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BS170-D75Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |