BS170

BS170 onsemi


mmbf170-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 6854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.67 грн
15+ 18.05 грн
100+ 9.08 грн
500+ 7.56 грн
1000+ 5.88 грн
2000+ 5.26 грн
5000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS170 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.

Аналог BS170 onsemi

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BS170-D26Z BS170-D26Z
Код товару: 143717
Виробник : ON FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1134 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7.5 грн
10+ 6.8 грн
100+ 6.2 грн
1000+ 5.5 грн

Інші пропозиції BS170 за ціною від 4.61 грн до 32.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BS170 BS170 Виробник : onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 86366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.84 грн
15+ 20.07 грн
100+ 8.44 грн
1000+ 6.1 грн
2500+ 5.32 грн
10000+ 4.67 грн
30000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170 BS170 Виробник : ONSEMI 2304244.pdf Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 45578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.47 грн
33+ 22.49 грн
100+ 9.32 грн
500+ 7.16 грн
1000+ 5.22 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
BS170 Виробник : ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170 Виробник : ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BS170 (Fairchild) транзистор BS170 (Fairchild) транзистор
Код товару: 26014
Виробник : FS BS170-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
товар відсутній
BS170 BS170 Виробник : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
BS170 BS170 Виробник : ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
BS170 BS170 Виробник : ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
BS170 BS170 Виробник : Vishay / Siliconix mmbf170-d.pdf MOSFET 60V 0.5A
товар відсутній
BS170 BS170 Виробник : ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній