BS170-D26Z ON
Код товару: 143717
3
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 0,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.80 грн |
| 100+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BS170-D26Z за ціною від 7.44 грн до 48.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BS170-D26Z | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BS170-D26Z | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIPackaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 100646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS |
на замовлення 1494 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 24363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z | onsemi |
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 20682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.44 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.44 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 8.67 грн |
| 4000+ | 7.57 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.60 грн |
| 4000+ | 8.72 грн |
| 10000+ | 8.62 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.61 грн |
| 4000+ | 8.72 грн |
| 10000+ | 8.63 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 100646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2036+ | 9.96 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.78 грн |
| 4000+ | 12.72 грн |
| 6000+ | 12.62 грн |
| 8000+ | 11.67 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 461+ | 30.68 грн |
| 766+ | 18.48 грн |
| 774+ | 18.29 грн |
| 915+ | 14.91 грн |
| 1305+ | 9.68 грн |
| 3000+ | 8.36 грн |
| 6000+ | 7.65 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.72 грн |
| 18+ | 23.30 грн |
| 25+ | 19.24 грн |
| 50+ | 16.67 грн |
| 100+ | 14.34 грн |
| 500+ | 10.28 грн |
| 1000+ | 9.12 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 24363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.52 грн |
| 13+ | 23.13 грн |
| 100+ | 14.75 грн |
| 500+ | 10.42 грн |
| 1000+ | 9.32 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 40.74 грн |
| 50+ | 20.81 грн |
| 100+ | 15.99 грн |
| 500+ | 11.19 грн |
| 1000+ | 9.23 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 48.09 грн |
| 24+ | 32.15 грн |
| 25+ | 30.68 грн |
| 100+ | 17.82 грн |
| 250+ | 16.33 грн |
| 500+ | 13.25 грн |
| 1000+ | 9.29 грн |
| 3000+ | 8.36 грн |
| 6000+ | 7.65 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 20682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| 2N7000 Код товару: 20638
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 0,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 0,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1677 шт
- 1677 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| 2N7000 Код товару: 200238
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 0,2 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 0,2 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1715 шт
- 1478 шт - склад
- 176 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 61 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 110 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 110 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1158 шт
- 1097 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| S5M Код товару: 45776
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214AB
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 5 A
Опис: Випрямний
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214AB
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 5 A
Опис: Випрямний
Монтаж: SMD
у наявності: 256 шт
- 13 шт - склад
- 69 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 76 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| Реле G2RL-2 12VDC (G2RL212DC) Код товару: 58631
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Omron
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 30 VDC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 30 VDC
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 105.00 грн |
| 10+ | 98.00 грн |












