
на замовлення 13102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
135+ | 4.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Аналог BS170 ON Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BS170-D26Z Код товару: 143717
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
![]() ![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 2034 шт
1923 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 37 шт - РАДІОМАГ-Харків 20 шт - РАДІОМАГ-Одеса 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції BS170 за ціною від 2.40 грн до 26.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BS170 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 68698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 68698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 53862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 25821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BS170 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 45111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BS170 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BS170 (Fairchild) транзистор Код товару: 26014
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : FS |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|