Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > BS170-D26Z
BS170-D26Z

BS170-D26Z ON-Semiconductor

info-tbs170.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS170-D26Z ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 830mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції BS170-D26Z за ціною від 7.57 грн до 47.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.85 грн
4000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.60 грн
4000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.62 грн
4000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor mmbf170-d.pdf Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 100646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2036+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 2036 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.18 грн
4000+12.21 грн
6000+12.10 грн
8000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.61 грн
766+18.44 грн
774+18.25 грн
915+14.88 грн
1305+9.66 грн
3000+8.35 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.47 грн
18+23.79 грн
25+19.64 грн
50+17.01 грн
100+14.64 грн
500+10.50 грн
1000+9.31 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 8763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+23.62 грн
100+15.05 грн
500+10.64 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 22294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.60 грн
13+25.15 грн
100+13.99 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.60 грн
50+21.25 грн
100+16.33 грн
500+11.43 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.98 грн
24+32.08 грн
25+30.61 грн
100+17.78 грн
250+16.30 грн
500+13.22 грн
1000+9.27 грн
3000+8.35 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+8.85 грн
4000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+9.60 грн
4000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+9.62 грн
4000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 100646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2036+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 2036 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+14.18 грн
4000+12.21 грн
6000+12.10 грн
8000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
461+30.61 грн
766+18.44 грн
774+18.25 грн
915+14.88 грн
1305+9.66 грн
3000+8.35 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+36.47 грн
18+23.79 грн
25+19.64 грн
50+17.01 грн
100+14.64 грн
500+10.50 грн
1000+9.31 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 8763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.35 грн
13+23.62 грн
100+15.05 грн
500+10.64 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 22294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.60 грн
13+25.15 грн
100+13.99 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+41.60 грн
50+21.25 грн
100+16.33 грн
500+11.43 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+47.98 грн
24+32.08 грн
25+30.61 грн
100+17.78 грн
250+16.30 грн
500+13.22 грн
1000+9.27 грн
3000+8.35 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.