на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 270+ | 27.99 грн |
| 500+ | 24.09 грн |
| 1000+ | 22.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170P Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BS170P за ціною від 21.85 грн до 90.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BS170P | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BS170P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BS170P | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |