на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 20.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170P Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BS170P за ціною від 18.3 грн до 53.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BS170P | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BS170P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BS170P | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5Ω Drain current: 0.27A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO92 Pulsed drain current: 3A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BS170P | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Chnl 60V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BS170P | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5Ω Drain current: 0.27A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO92 Pulsed drain current: 3A |
товар відсутній |