BS170P Diodes Zetex


bs170p.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+43.83 грн
500+34.99 грн
1000+30.60 грн
2000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS170P Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції BS170P за ціною від 25.65 грн до 96.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS170P BS170P Diodes Zetex bs170p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P DIODES INCORPORATED bs170p.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.15 грн
10+50.66 грн
25+41.87 грн
100+32.50 грн
500+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P Diodes Incorporated BS170P.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
10+58.20 грн
100+38.50 грн
500+28.20 грн
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P DIODES INC. DIOD-S-A0005632443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P Diodes Incorporated BS170P.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 6266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P bs170p.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P bs170p.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.15 грн
10+50.66 грн
25+41.87 грн
100+32.50 грн
500+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P.PDF
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.09 грн
10+58.20 грн
100+38.50 грн
500+28.20 грн
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P DIOD-S-A0005632443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 6266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.