BS2103F-E2 Rohm Semiconductor
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 92.20 грн |
| 219+ | 56.55 грн |
| 249+ | 49.72 грн |
| 500+ | 42.15 грн |
| 1000+ | 37.34 грн |
| 2000+ | 33.87 грн |
| 2500+ | 32.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS2103F-E2 Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 18V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOP, Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V, Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції BS2103F-E2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
BS2103F-E2 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Gate Drivers 600V High Voltage H/L Side Gate Driver |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
BS2103F-E2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
BS2103F-E2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BS2103F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 18V Versorgungsspannung, 220ns Verzögerung, SOP-8Sinkstrom: 130 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 60 Bauform - Treiber: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 18 Eingabeverzögerung: 220 Ausgabeverzögerung: 220 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товару немає в наявності |
|
|
BS2103F-E2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BS2103F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 18V Versorgungsspannung, 220ns Verzögerung, SOP-8SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товару немає в наявності |
|
|
|
BS2103F-E2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOP Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |


