BS2103F-E2 Rohm Semiconductor
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 159+ | 73.63 грн |
| 187+ | 62.64 грн |
| 218+ | 53.69 грн |
| 230+ | 49.06 грн |
| 500+ | 42.47 грн |
| 1000+ | 38.35 грн |
| 2000+ | 36.1 грн |
| 2500+ | 35.1 грн |
| 5000+ | 33.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS2103F-E2 Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 18V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOP, Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V, Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції BS2103F-E2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BS2103F-E2 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 Gate Drivers 600V High Voltage H/L Side Gate Driver |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
BS2103F-E2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
BS2103F-E2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BS2103F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 18V Versorgungsspannung, 220ns Verzögerung, SOP-8 Sinkstrom: 130 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 60 Bauform - Treiber: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 18 Eingabeverzögerung: 220 Ausgabeverzögerung: 220 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товар відсутній |
|
|
|
BS2103F-E2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BS2103F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 18V Versorgungsspannung, 220ns Verzögerung, SOP-8 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товар відсутній |
|
 |
BS2103F-E2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOP Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |