Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BS2132F-E2
BS2132F-E2

BS2132F-E2 Rohm Semiconductor

BS2132F.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Part Status: Obsolete
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 3
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Supplier Device Package: 28-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.53 грн
10+195.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS2132F-E2 Rohm Semiconductor

Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE, Driven Configuration: High-Side, Channel Type: 3-Phase, Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns, Supplier Device Package: 28-SOP, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Input Type: Non-Inverting, Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Number of Drivers: 3, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції BS2132F-E2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS2132F-E2 BS2132F-E2 Rohm Semiconductor BS2132F.pdf Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Supplier Device Package: 28-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 3
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 BS2132F-E2 ROHM Semiconductor bs2132f-e-1874004.pdf Gate Drivers TheBS2132FisamonolithicbridgedriverIC,whichcandriveexternalNch-FETandIGBTdriverin3phasesystemswithbootstrapoperations.600VhighvoltagebootstrapdiodeisintegratedbetweentheVCCpinandtheVBpins.Thelogicinputscanbeused
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 BS2132F.pdf
BS2132F-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Supplier Device Package: 28-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 3
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 bs2132f-e-1874004.pdf
BS2132F-E2
Виробник: ROHM Semiconductor
Gate Drivers TheBS2132FisamonolithicbridgedriverIC,whichcandriveexternalNch-FETandIGBTdriverin3phasesystemswithbootstrapoperations.600VhighvoltagebootstrapdiodeisintegratedbetweentheVCCpinandtheVBpins.Thelogicinputscanbeused
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.