Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BS2132F-E2
BS2132F-E2

BS2132F-E2 Rohm Semiconductor

BS2132F.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Part Status: Obsolete
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 3
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Supplier Device Package: 28-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.00 грн
10+194.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS2132F-E2 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BS2132F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 11.5V bis 20V Versorgungsspannung, 580ns Verzögerung, SOP-28, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, Leistungsschalter: MOSFET, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 3, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 11.5, Quellstrom: -, Bauform - Treiber: SOP, Anzahl der Pins: 28, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 20, Eingabeverzögerung: 630, Ausgabeverzögerung: 580, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції BS2132F-E2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS2132F-E2 BS2132F-E2 Rohm Semiconductor BS2132F.pdf Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Supplier Device Package: 28-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 3
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 BS2132F-E2 ROHM Semiconductor bs2132f-e-1874004.pdf Gate Drivers TheBS2132FisamonolithicbridgedriverIC,whichcandriveexternalNch-FETandIGBTdriverin3phasesystemswithbootstrapoperations.600VhighvoltagebootstrapdiodeisintegratedbetweentheVCCpinandtheVBpins.Thelogicinputscanbeused
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 BS2132F-E2 ROHM 2736593.pdf Description: ROHM - BS2132F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 11.5V bis 20V Versorgungsspannung, 580ns Verzögerung, SOP-28
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 3
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 11.5
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: SOP
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 630
Ausgabeverzögerung: 580
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 BS2132F-E2 ROHM 2736593.pdf Description: ROHM - BS2132F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 11.5V bis 20V Versorgungsspannung, 580ns Verzögerung, SOP-28
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 BS2132F.pdf
BS2132F-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Supplier Device Package: 28-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 3
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 bs2132f-e-1874004.pdf
BS2132F-E2
Виробник: ROHM Semiconductor
Gate Drivers TheBS2132FisamonolithicbridgedriverIC,whichcandriveexternalNch-FETandIGBTdriverin3phasesystemswithbootstrapoperations.600VhighvoltagebootstrapdiodeisintegratedbetweentheVCCpinandtheVBpins.Thelogicinputscanbeused
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 2736593.pdf
BS2132F-E2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BS2132F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 11.5V bis 20V Versorgungsspannung, 580ns Verzögerung, SOP-28
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 3
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 11.5
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: SOP
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 630
Ausgabeverzögerung: 580
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS2132F-E2 2736593.pdf
BS2132F-E2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BS2132F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 11.5V bis 20V Versorgungsspannung, 580ns Verzögerung, SOP-28
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.