BS270 ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 10.01 грн |
| 48+ | 8.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS270 ONSEMI
Description: ONSEMI - BS270 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BS270 за ціною від 7.09 грн до 44.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BS270 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BS270 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BS270 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BS270 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel MOSFET |
на замовлення 8782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BS270 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 9883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BS270 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BS270 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS270 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 2 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BS270 | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92 BS270 TBS270кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 494 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|



