Технічний опис BS870Q-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BS870Q-7-F за ціною від 2.40 грн до 23.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BS870Q-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BS870Q-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BS870Q-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BS870Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BS870Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BS870Q-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.41 грн |
| 15000+ | 2.90 грн |
| 30000+ | 2.56 грн |
| 75000+ | 2.40 грн |
| BS870Q-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.09 грн |
| 17+ | 18.31 грн |
| 100+ | 9.72 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 4.08 грн |
| BS870Q-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BS870Q-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BS870Q-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BS870Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





