BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.59 грн |
| 10+ | 171.82 грн |
| 100+ | 138.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.8mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Power dissipation: 89W, Drain current: 180A, Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2.
Інші пропозиції BSB008NE2LXXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSB008NE2LXXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON |
товару немає в наявності |
|
| BSB008NE2LXXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS |
товару немає в наявності |
||
 |
BSB008NE2LXXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 89W Drain current: 180A Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 |
товару немає в наявності |