Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSB014N04LX3GXUMA1

BSB014N04LX3GXUMA1

BSB014N04LX3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a02c6c737a9b

Код товару: 168892

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції BSB014N04LX3GXUMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3	на замовлення 3269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	BSB014N04LX3GXUMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.