BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 130.39 грн |
| 500+ | 88.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSB028N06NN3GXUMA1 за ціною від 79.27 грн до 286.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSB028N06NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V |
на замовлення 6668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSB028N06NN3GXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSB028N06NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSB028N06NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BSB028N06NN3GXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
BSB028N06NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |