Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > BSB056N10NN3GXUMA1

BSB056N10NN3GXUMA1

BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
Код товару: 125684
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSB056N10NN3GXUMA1 за ціною від 87.59 грн до 278.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.64 грн
10+175.45 грн
100+122.96 грн
500+94.35 грн
1000+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.36 грн
10+144.99 грн
25+143.02 грн
100+136.92 грн
250+125.94 грн
500+120.10 грн
1000+119.21 грн
3000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
BSB056N10NN3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.64 грн
10+175.45 грн
100+122.96 грн
500+94.35 грн
1000+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB056N10NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB056N10NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
Виробник: Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+148.36 грн
10+144.99 грн
25+143.02 грн
100+136.92 грн
250+125.94 грн
500+120.10 грн
1000+119.21 грн
3000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.