| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.04 грн |
| 10+ | 115.11 грн |
| 100+ | 68.37 грн |
| 500+ | 57.92 грн |
| 1000+ | 51.30 грн |
| 2500+ | 48.58 грн |
| 4800+ | 46.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.
Інші пропозиції BSB104N08NP3GXUMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSB104N08NP3GXUMA2 | INFINEON |
 Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSB104N08NP3GXUMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)