Технічний опис BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon Technologies
N-Channel Power MOSFET.
Інші пропозиції BSB104N08NP3GXUMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSB104N08NP3GXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
||
| BSB104N08NP3GXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |