Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3GXUMA1

BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies

BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 8786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+101.84 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDSON, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSB165N15NZ3GXUMA1 за ціною від 85.13 грн до 126.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSB165N15NZ3_DS_v02_02_en-1731136.pdf MOSFETs N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.72 грн
10+122.38 грн
100+103.48 грн
250+101.28 грн
500+93.21 грн
1000+88.07 грн
5000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsb165n15nz3grev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsb165n15nz3grev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSB165N15NZ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSB165N15NZ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.