BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.88 грн |
10+ | 137.49 грн |
100+ | 109.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R.
Інші пропозиції BSC004NE2LS5ATMA1 за ціною від 68.76 грн до 183.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 45168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V |
товар відсутній |