BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 57.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 479A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC004NE2LS5ATMA1 за ціною від 54.27 грн до 196.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 479A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 40574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 479A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V |
на замовлення 19546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A T/R |
товару немає в наявності |