Інші пропозиції BSC007N04LS6ATMA1 за ціною від 85.48 грн до 228.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 188W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V |
на замовлення 6154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 85.48 грн |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.18 грн |
| 10+ | 107.51 грн |
| 100+ | 100.76 грн |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 150.29 грн |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 202.37 грн |
| 79+ | 181.11 грн |
| 100+ | 153.39 грн |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 228.56 грн |
| 10+ | 183.30 грн |
| 25+ | 151.90 грн |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




