Інші пропозиції BSC007N04LS6ATMA1 за ціною від 83.96 грн до 302.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V |
на замовлення 6154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC007N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 138W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |