BSC007N04LS6ATMA1


Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Код товару: 161378
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC007N04LS6ATMA1 за ціною від 82.98 грн до 227.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.16 грн
10+104.36 грн
100+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.28 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+201.01 грн
79+179.90 грн
100+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.03 грн
10+182.08 грн
25+150.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON 2792913.pdf Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON 2792913.pdf Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.16 грн
10+104.36 грн
100+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.28 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+201.01 грн
79+179.90 грн
100+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.03 грн
10+182.08 грн
25+150.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 2792913.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 2792913.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.