BSC007N04LS6SCATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 162.28 грн |
| 500+ | 133.51 грн |
| 1000+ | 105.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC007N04LS6SCATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC007N04LS6SCATMA1 за ціною від 105.94 грн до 327.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BSC007N04LS6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |