BSC009N04LSSCATMA1

BSC009N04LSSCATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc009n04lssc-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC009N04LSSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 301A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC009N04LSSCATMA1 за ціною від 74.23 грн до 285.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009n04lssc-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+115.33 грн
10+110.23 грн
25+108.64 грн
50+103.66 грн
100+90.68 грн
250+85.81 грн
500+85.62 грн
1000+85.49 грн
3000+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009N04LSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4cadb130ebc Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.94 грн
10+156.31 грн
100+108.84 грн
500+83.09 грн
1000+76.97 грн
2000+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : INFINEON 4162917.pdf Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.97 грн
10+174.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC009N04LSSC_DataSheet_v02_01_EN-3361127.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.73 грн
10+192.70 грн
25+159.23 грн
100+122.83 грн
250+118.28 грн
500+100.84 грн
1000+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : INFINEON 4162917.pdf Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009n04lssc-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009N04LSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4cadb130ebc Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.