Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Код товару: 173879
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC009NE2LS5ATMA1 за ціною від 45.30 грн до 184.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 116infineon-bsc009ne2ls5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c0.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.04 грн
500+64.82 грн
1000+57.84 грн
5000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.09 грн
10+103.24 грн
100+67.29 грн
500+55.78 грн
1000+53.94 грн
2500+53.56 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+170.79 грн
106+117.73 грн
111+112.75 грн
200+79.95 грн
500+69.21 грн
1000+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 14932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.64 грн
10+106.70 грн
100+72.82 грн
500+54.73 грн
1000+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.20 грн
10+115.34 грн
100+85.04 грн
500+64.82 грн
1000+57.84 грн
5000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2253B0CCE411C&compId=BSC009NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=cc7dc6f544cdea8ffdc22bc994ff5b04e5a9b00b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.