Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Код товару: 173879
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC009NE2LS5ATMA1 за ціною від 47.14 грн до 191.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 116infineon-bsc009ne2ls5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c0.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.51 грн
500+67.46 грн
1000+60.20 грн
5000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+173.62 грн
106+119.68 грн
111+114.62 грн
200+81.27 грн
500+70.36 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 14872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.22 грн
10+109.05 грн
100+74.43 грн
500+55.93 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.02 грн
10+107.45 грн
100+70.03 грн
500+58.06 грн
1000+56.14 грн
2500+55.74 грн
5000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.71 грн
10+120.04 грн
100+88.51 грн
500+67.46 грн
1000+60.20 грн
5000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.