Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Код товару: 173879
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC009NE2LS5ATMA1 за ціною від 46.13 грн до 207.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.90 грн
10000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.07 грн
500+64.22 грн
1000+54.85 грн
5000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC009NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 10643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.78 грн
10+115.65 грн
100+68.36 грн
500+58.23 грн
1000+51.62 грн
2500+48.81 грн
5000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 13381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.09 грн
10+116.41 грн
100+79.13 грн
500+59.26 грн
1000+54.44 грн
2000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.58 грн
10+126.35 грн
100+91.07 грн
500+64.22 грн
1000+54.85 грн
5000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.90 грн
10000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.07 грн
500+64.22 грн
1000+54.85 грн
5000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon_BSC009NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 10643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.78 грн
10+115.65 грн
100+68.36 грн
500+58.23 грн
1000+51.62 грн
2500+48.81 грн
5000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 13381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.09 грн
10+116.41 грн
100+79.13 грн
500+59.26 грн
1000+54.44 грн
2000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.58 грн
10+126.35 грн
100+91.07 грн
500+64.22 грн
1000+54.85 грн
5000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.