Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC009NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5957690-3
Price: 304450 UAH
Availability: InStock

Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 45.61 грн до 191.07 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	74.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	77.81 грн
10+	65.19 грн
25+	64.53 грн
100+	61.61 грн
250+	56.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
147+	83.80 грн
175+	70.20 грн
177+	69.50 грн
179+	66.34 грн
250+	61.19 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	108.29 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	108.29 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 3846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
112+	109.52 грн
113+	108.70 грн
156+	78.87 грн
200+	72.19 грн
500+	58.23 грн
1000+	50.09 грн
2000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
105+	116.94 грн
131+	93.95 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V

на замовлення 7457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	158.95 грн
10+	110.41 грн
100+	83.32 грн
500+	64.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	162.26 грн
250+	112.47 грн
1000+	72.78 грн
3000+	65.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 12372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	176.00 грн
50+	115.04 грн
250+	95.30 грн
1000+	71.91 грн
3000+	65.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC009NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3360566.pdf

MOSFETs LV POWER MOS

на замовлення 7345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	191.07 грн
10+	136.42 грн
100+	92.60 грн
250+	81.12 грн
500+	79.59 грн
5000+	66.74 грн
10000+	65.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

BSC009NE2LS5IATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.