Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LS5IATMA1
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+77.25 грн
10+64.72 грн
25+64.07 грн
100+61.16 грн
250+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 45.28 грн до 195.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.20 грн
175+69.69 грн
177+69.00 грн
179+65.87 грн
250+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+108.73 грн
113+107.92 грн
156+78.30 грн
200+71.67 грн
500+57.82 грн
1000+49.73 грн
2000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.85 грн
250+106.64 грн
1000+69.01 грн
3000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.37 грн
50+153.85 грн
250+106.64 грн
1000+69.01 грн
3000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.10 грн
131+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.42 грн
10+107.79 грн
100+79.99 грн
500+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC009NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3360566.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.17 грн
10+129.35 грн
100+87.81 грн
250+76.92 грн
500+75.47 грн
5000+63.28 грн
10000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.