Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LS5IATMA1
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 52.78 грн до 191.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.01 грн
25+73.78 грн
100+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+81.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+94.28 грн
135+90.06 грн
250+86.45 грн
500+80.35 грн
1000+71.98 грн
2500+67.06 грн
5000+65.25 грн
10000+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+143.74 грн
118+103.36 грн
123+98.52 грн
200+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.68 грн
50+113.66 грн
250+96.70 грн
1000+73.64 грн
3000+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.67 грн
10+106.96 грн
100+77.13 грн
500+63.82 грн
1000+63.59 грн
5000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.32 грн
250+111.12 грн
1000+71.91 грн
3000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.40 грн
10+111.61 грн
100+81.66 грн
500+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C228646CFFA11C&compId=BSC009NE2LS5I-DTE.pdf?ci_sign=25996d635d2d6fa2523eb92fe3ddad178a57577f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C228646CFFA11C&compId=BSC009NE2LS5I-DTE.pdf?ci_sign=25996d635d2d6fa2523eb92fe3ddad178a57577f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.