Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1

Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e
Код товару: 195332
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 39.01 грн до 159.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.83 грн
10000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.25 грн
10+82.11 грн
25+80.97 грн
100+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.35 грн
135+104.46 грн
250+100.27 грн
500+93.20 грн
1000+83.48 грн
2500+77.78 грн
5000+75.68 грн
10000+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 11567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.33 грн
10+98.14 грн
100+66.66 грн
500+49.90 грн
1000+45.83 грн
2000+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 21465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies BSC009NE2LS5I_Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Транзистори Корпус
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 1978 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.83 грн
10000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+83.25 грн
10+82.11 грн
25+80.97 грн
100+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+109.35 грн
135+104.46 грн
250+100.27 грн
500+93.20 грн
1000+83.48 грн
2500+77.78 грн
5000+75.68 грн
10000+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 11567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.33 грн
10+98.14 грн
100+66.66 грн
500+49.90 грн
1000+45.83 грн
2000+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5I-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 21465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5I_Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Транзистори Корпус
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 1978 шт
В кошику  од. на суму  грн.