Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC009NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5957690-3
Price: 286450.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	57.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 58.85 грн до 194.83 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineonbsc009ne2ls5idatasheetv0201en.pdf

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	62.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	67.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
177+	70.39 грн

Мінімальне замовлення: 177

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	75.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	77.02 грн
25+	75.75 грн
100+	71.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
129+	96.80 грн
135+	92.47 грн
250+	88.76 грн
500+	82.50 грн
1000+	73.90 грн
2500+	68.85 грн
5000+	66.99 грн
10000+	65.35 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	119.31 грн
250+	99.28 грн
1000+	75.85 грн
3000+	68.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs LV POWER MOS

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	159.41 грн
10+	108.03 грн
100+	77.48 грн
500+	65.52 грн
1000+	65.29 грн
5000+	59.62 грн
10000+	58.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 12292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	175.05 грн
50+	119.31 грн
250+	99.28 грн
1000+	75.85 грн
3000+	68.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V

на замовлення 7120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	194.83 грн
10+	121.38 грн
100+	83.35 грн
500+	63.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC009NE2LS5IATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C228646CFFA11C&compId=BSC009NE2LS5I-DTE.pdf?ci_sign=25996d635d2d6fa2523eb92fe3ddad178a57577f

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.