Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LSATMA1
BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc009ne2ls-datasheet-en.pdf?fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC009NE2LSATMA1 за ціною від 34.25 грн до 197.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.32 грн
500+51.23 грн
1000+43.98 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-en.pdf?fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.97 грн
10+84.83 грн
100+57.39 грн
500+42.82 грн
1000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC009NE2LS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.90 грн
10+89.16 грн
100+53.57 грн
500+43.56 грн
1000+41.16 грн
5000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+97.85 грн
100+69.32 грн
500+51.23 грн
1000+43.98 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.07 грн
117+121.63 грн
129+110.32 грн
200+82.47 грн
500+71.39 грн
1000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.32 грн
500+51.23 грн
1000+43.98 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 infineon-bsc009ne2ls-datasheet-en.pdf?fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.97 грн
10+84.83 грн
100+57.39 грн
500+42.82 грн
1000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 Infineon_BSC009NE2LS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.90 грн
10+89.16 грн
100+53.57 грн
500+43.56 грн
1000+41.16 грн
5000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+97.85 грн
100+69.32 грн
500+51.23 грн
1000+43.98 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
72+197.07 грн
117+121.63 грн
129+110.32 грн
200+82.47 грн
500+71.39 грн
1000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.