Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LSATMA1
BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC009NE2LSATMA1 за ціною від 46.22 грн до 184.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.60 грн
500+59.03 грн
1000+48.98 грн
5000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.68 грн
100+70.60 грн
500+59.03 грн
1000+48.98 грн
5000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 48686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.87 грн
10+106.98 грн
100+72.81 грн
500+54.59 грн
1000+50.18 грн
2000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC009NE2LS_DataSheet_v02_05_EN-3360818.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.00 грн
10+118.02 грн
100+69.42 грн
250+68.07 грн
500+55.39 грн
1000+47.16 грн
5000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C232ADC6DE811C&compId=BSC009NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=474c14cd09ac2b54f5c408db185963e09191a5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C232ADC6DE811C&compId=BSC009NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=474c14cd09ac2b54f5c408db185963e09191a5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.