BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 68.54 грн |
| 10000+ | 63.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSC010N04LS6ATMA1 за ціною від 57.77 грн до 182.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V |
на замовлення 10210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 5163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC010N04LS6ATMA1 Код товару: 192753 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |