Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC010N04LS6ATMA1

BSC010N04LS6ATMA1

Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818
Код товару: 192753
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC010N04LS6ATMA1 за ціною від 50.89 грн до 219.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON 2792914.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.79 грн
250+97.03 грн
1000+67.88 грн
3000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.49 грн
118+120.18 грн
500+101.77 грн
1000+92.52 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LS6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 12947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.24 грн
10+117.53 грн
100+73.30 грн
500+58.64 грн
1000+54.55 грн
5000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818 Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.47 грн
10+134.46 грн
100+92.09 грн
500+69.40 грн
1000+63.92 грн
2000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON 2792914.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.55 грн
50+139.79 грн
250+97.03 грн
1000+67.88 грн
3000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 2792914.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+139.79 грн
250+97.03 грн
1000+67.88 грн
3000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
82+173.49 грн
118+120.18 грн
500+101.77 грн
1000+92.52 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 Infineon-BSC010N04LS6-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 12947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.24 грн
10+117.53 грн
100+73.30 грн
500+58.64 грн
1000+54.55 грн
5000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+216.47 грн
10+134.46 грн
100+92.09 грн
500+69.40 грн
1000+63.92 грн
2000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 2792914.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+219.55 грн
50+139.79 грн
250+97.03 грн
1000+67.88 грн
3000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.