Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC010N04LSATMA1
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC010N04LSATMA1 за ціною від 43.40 грн до 154.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+94.94 грн
149+81.96 грн
169+72.14 грн
500+54.38 грн
1000+49.92 грн
2000+47.78 грн
5000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.45 грн
250+78.39 грн
1000+56.62 грн
3000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 26255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.23 грн
10+90.18 грн
100+69.14 грн
500+52.03 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.85 грн
50+107.45 грн
250+78.39 грн
1000+56.62 грн
3000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC010N04LS_DataSheet_v02_04_EN-3360567.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 75900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.93 грн
10+106.82 грн
100+71.04 грн
250+69.66 грн
500+56.60 грн
1000+52.10 грн
5000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.