Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC010N04LSATMA1
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції BSC010N04LSATMA1 за ціною від 57.79 грн до 319.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.07 грн
10000+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 26785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.71 грн
10+ 114.4 грн
100+ 91.06 грн
500+ 72.31 грн
1000+ 61.35 грн
2000+ 58.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC010N04LS_DataSheet_v02_04_EN-3360567.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 79483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155 грн
10+ 127.45 грн
100+ 87.46 грн
250+ 80.78 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 62.69 грн
2500+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+319.26 грн
Мінімальне замовлення: 37
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній