Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC010N04LSIATMA1
BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+54.67 грн
10000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC010N04LSIATMA1 за ціною від 59.18 грн до 258.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.75 грн
250+120.06 грн
1000+77.88 грн
3000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+186.09 грн
105+135.69 грн
500+128.16 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 16789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.06 грн
10+121.18 грн
100+83.21 грн
500+62.86 грн
1000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+258.20 грн
50+167.75 грн
250+120.06 грн
1000+77.88 грн
3000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+167.75 грн
250+120.06 грн
1000+77.88 грн
3000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
77+186.09 грн
105+135.69 грн
500+128.16 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 16789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.06 грн
10+121.18 грн
100+83.21 грн
500+62.86 грн
1000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+258.20 грн
50+167.75 грн
250+120.06 грн
1000+77.88 грн
3000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.