Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC010N04LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 16129441-5
Price: 12426.75 UAH
Availability: InStock

infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 6032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
189+	65.75 грн
192+	64.75 грн
195+	63.75 грн
250+	60.51 грн
500+	55.14 грн
1000+	52.07 грн
3000+	51.22 грн
6000+	50.36 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC010N04LSIATMA1 за ціною від 53.96 грн до 195.21 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	69.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 6032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	71.52 грн
11+	70.44 грн
25+	69.37 грн
100+	65.86 грн
250+	60.03 грн
500+	56.71 грн
1000+	55.79 грн
3000+	54.87 грн
6000+	53.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	74.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
110+	113.13 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	120.77 грн
250+	119.03 грн
1000+	83.10 грн
3000+	75.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

на замовлення 5880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.08 грн
10+	93.52 грн
100+	79.77 грн
500+	64.75 грн
1000+	63.20 грн
2500+	63.12 грн
5000+	59.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
83+	149.59 грн
87+	143.89 грн
100+	139.01 грн
250+	129.98 грн
500+	117.07 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	155.52 грн
50+	120.77 грн
250+	119.03 грн
1000+	83.10 грн
3000+	75.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc

Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V

на замовлення 3047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	195.21 грн
10+	121.50 грн
100+	83.50 грн
500+	63.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC010N04LSIATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.