BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 147.51 грн |
| 500+ | 140.49 грн |
| 1000+ | 132.29 грн |
| 10000+ | 119.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm.
Інші пропозиції BSC010N04LSTATMA1 за ціною від 132.29 грн до 260.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 8024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC010N04LSTATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm |
на замовлення 4546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 3367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC010N04LSTATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm |
на замовлення 4546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очікукількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 147.51 грн |
| 500+ | 140.49 грн |
| 1000+ | 132.29 грн |
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 147.51 грн |
| 500+ | 140.49 грн |
| 1000+ | 132.29 грн |
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 260.77 грн |
| 67+ | 212.43 грн |
| 74+ | 191.63 грн |
| 100+ | 170.89 грн |
| 500+ | 150.86 грн |
| 1000+ | 138.47 грн |
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очіку
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очіку
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 154.67 грн |




