BSC010N04LSTATMA1

BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc010n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC010N04LSTATMA1 за ціною від 74.28 грн до 249.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : INFINEON 2718676.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+89.66 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+134.21 грн
500+128.11 грн
1000+120.99 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+165.93 грн
83+147.23 грн
105+116.32 грн
500+109.81 грн
1000+98.77 грн
2000+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : INFINEON 2718676.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.68 грн
10+171.66 грн
100+134.52 грн
500+89.66 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC010N04LST_DataSheet_v02_03_EN-3360717.pdf MOSFETs N
на замовлення 5109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.76 грн
10+171.74 грн
100+116.97 грн
500+95.64 грн
1000+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455bd392c6b Description: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455bd392c6b Description: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.