Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1

infineon-bsc010ne2ls-datasheet-en.pdf
Код товару: 219529
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC010NE2LSATMA1 за ціною від 43.37 грн до 106.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon info-tbsc010ne2ls.pdf N-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.78 грн
11+68.59 грн
25+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+106.47 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 info-tbsc010ne2ls.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.78 грн
11+68.59 грн
25+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+106.47 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 1849649.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 1849649.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.