Інші пропозиції BSC010NE2LSATMA1 за ціною від 41.00 грн до 113.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |