Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC010NE2LSIATMA1
BSC010NE2LSIATMA1

BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSC010NE2LSIATMA1 за ціною від 42.78 грн до 160.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 9171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+99.11 грн
100+67.33 грн
500+50.42 грн
1000+46.32 грн
2000+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC010NE2LSI_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.35 грн
10+94.02 грн
100+61.25 грн
500+50.18 грн
1000+45.25 грн
2500+44.47 грн
5000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 9171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.17 грн
10+99.11 грн
100+67.33 грн
500+50.42 грн
1000+46.32 грн
2000+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 Infineon_BSC010NE2LSI_DataSheet_v02_07_EN.pdf
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+160.35 грн
10+94.02 грн
100+61.25 грн
500+50.18 грн
1000+45.25 грн
2500+44.47 грн
5000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.