Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSATMA1
BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC011N03LSATMA1 за ціною від 40.83 грн до 110.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.13 грн
10000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.31 грн
10000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+64.01 грн
192+63.65 грн
215+56.86 грн
250+54.49 грн
500+47.29 грн
1000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.89 грн
500+65.48 грн
1000+57.62 грн
5000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.48 грн
11+68.58 грн
25+68.19 грн
100+58.75 грн
250+54.06 грн
500+48.64 грн
1000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.96 грн
11+77.19 грн
100+73.89 грн
500+65.48 грн
1000+57.62 грн
5000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 21984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.15 грн
10+79.47 грн
25+67.68 грн
100+52.77 грн
250+52.39 грн
500+46.00 грн
1000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 31485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.75 грн
10+77.32 грн
100+58.15 грн
500+45.22 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.