Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSATMA1
BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC011N03LSATMA1 за ціною від 39.56 грн до 134.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.48 грн
10000+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.74 грн
10000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+73.70 грн
192+73.29 грн
215+65.48 грн
250+62.74 грн
500+54.46 грн
1000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.12 грн
11+73.70 грн
25+73.29 грн
100+63.14 грн
250+58.09 грн
500+52.28 грн
1000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 12357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.70 грн
10+82.72 грн
100+55.99 грн
500+41.79 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 21984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+63.48 грн
10000+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+63.74 грн
10000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+73.70 грн
192+73.29 грн
215+65.48 грн
250+62.74 грн
500+54.46 грн
1000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.12 грн
11+73.70 грн
25+73.29 грн
100+63.14 грн
250+58.09 грн
500+52.28 грн
1000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 12357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.70 грн
10+82.72 грн
100+55.99 грн
500+41.79 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 21984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.