Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSIATMA1
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+39.13 грн
10000+35.40 грн
15000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC011N03LSIATMA1 за ціною від 40.37 грн до 148.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.46 грн
169+83.92 грн
172+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.20 грн
10+96.08 грн
25+92.89 грн
100+82.40 грн
250+73.77 грн
500+66.75 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.20 грн
148+96.08 грн
153+92.89 грн
166+82.40 грн
250+73.77 грн
500+66.75 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 71848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.01 грн
10+90.89 грн
100+61.44 грн
500+45.83 грн
1000+42.02 грн
2000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+85.46 грн
169+83.92 грн
172+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.20 грн
10+96.08 грн
25+92.89 грн
100+82.40 грн
250+73.77 грн
500+66.75 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.20 грн
148+96.08 грн
153+92.89 грн
166+82.40 грн
250+73.77 грн
500+66.75 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 71848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.01 грн
10+90.89 грн
100+61.44 грн
500+45.83 грн
1000+42.02 грн
2000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.