Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSIATMA1
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC011N03LSIATMA1 за ціною від 34.53 грн до 146.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+63.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.93 грн
500+45.32 грн
1000+38.44 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.72 грн
169+72.39 грн
172+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.89 грн
148+82.89 грн
153+80.13 грн
166+71.09 грн
250+63.63 грн
500+57.58 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+96.31 грн
10+88.81 грн
25+85.85 грн
100+76.16 грн
250+68.18 грн
500+61.69 грн
1000+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.89 грн
10+88.67 грн
100+63.93 грн
500+45.32 грн
1000+38.44 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 11141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.58 грн
10+90.26 грн
100+61.04 грн
500+45.55 грн
1000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LSI_DataSheet_v02_04_EN-3160493.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.