Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSIATMA1
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC011N03LSIATMA1 за ціною від 48.47 грн до 146.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+53.87 грн
10000+ 50.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+80.05 грн
10+ 73.73 грн
25+ 71.12 грн
100+ 63.3 грн
250+ 58.03 грн
500+ 51.55 грн
1000+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+86.21 грн
148+ 79.4 грн
153+ 76.6 грн
166+ 68.17 грн
250+ 62.49 грн
500+ 55.51 грн
1000+ 54.27 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+107.26 грн
117+ 100.44 грн
133+ 88.06 грн
200+ 80.96 грн
500+ 74.79 грн
1000+ 65.95 грн
5000+ 61.27 грн
Мінімальне замовлення: 110
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.21 грн
10+ 99.31 грн
100+ 79.03 грн
500+ 62.76 грн
1000+ 53.25 грн
2000+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+146.79 грн
10+ 110.09 грн
100+ 81.63 грн
500+ 67.25 грн
1000+ 50.07 грн
5000+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LSI_DataSheet_v02_04_EN-3160493.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній