BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC011N03LSTATMA1 за ціною від 61.26 грн до 222.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : INFINEON 2718677.pdf Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.97 грн
500+88.13 грн
1000+62.53 грн
2000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+176.91 грн
82+149.46 грн
100+141.33 грн
200+135.30 грн
500+113.48 грн
1000+102.84 грн
2000+100.22 грн
5000+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.38 грн
10+128.05 грн
100+92.50 грн
500+72.09 грн
1000+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.45 грн
10+150.20 грн
100+103.99 грн
500+70.35 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LST_DataSheet_v02_03_EN-3360954.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.30 грн
10+148.06 грн
100+92.70 грн
500+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.